晶圆尺寸

100~300mm（圆片/方片）

晶圆厚度

400-1000μm

基板

Si、SiC、GaAs、GaN、GaP、Glass、Sapphire等

工艺及架构

• 支持3个喷胶单元
• 高稳定性双手臂
• 星型布局结构
• 配置视觉监控以及维修照明灯
• Load port支持开放式Cassette/ FOUP
• 设备配置各种安全互锁功能（门开关、漏液、液位等）
• 设备控制系统采用IPC+PLC控制架构，实现灵活调度和配方编辑等功能
• 设备支持标准SEC/GEM通讯，支持工厂设备自动化功能

技术参数

MAXφ300mm喷胶单元

• 带烘烤功能CHUCK，20-150℃；
• 实时自洁净功能；
• 支持较高粘度胶的深沟槽工艺（选配型），支持高膜厚涂覆；
• 喷胶均匀性：片内≤±6%，片间≤±6%；
• 显影均匀性（静态显影与动态显影，线宽CD≥1μm）：片内≤±3%，片间≤±3%；
• 胶厚：3μm~30μm；
• 最大可覆盖台阶≥300μm；
• 台阶喷胶覆盖均匀性：针对倾角50°-60°之间的不小于300μm台阶，台阶底部喷胶厚度≥0.6台阶顶部喷胶厚度；1/2台阶高度处喷胶厚度≥0.4台阶顶部喷胶厚度；台阶顶点处喷胶厚度≥0.2台阶顶部喷胶厚度；
• 台阶喷胶覆盖均匀性：针对倾角89°-91°之间的不小于300μm台阶，台阶底部喷胶厚度≥0.2台阶顶部喷胶厚度；1/2台阶高度处喷胶厚度≥0.1台阶顶部喷胶厚度；
  台阶顶点处喷胶厚度≥0.1台阶顶部喷胶厚度；
• AD增粘单元（HMDS单元）：
  配置1个AD增粘单元，加热温度范围50℃-180℃。
  在温度范围50℃-120℃内，温度均匀性≤±0.2℃；
  在温度范围120.1℃-150℃内，温度均匀性≤±0.4℃；
  在温度范围150.1℃-180℃内，
  温度均匀性≤±0.6℃；
• 配置2块热板，加热温度范围50℃-180℃。
  
  在温度范围50℃-120℃内，温度均匀性≤±0.2℃；
  在温度范围120.1℃-150℃内，温度均匀性≤±0.4℃；
  在温度范围150.1℃-180℃内，温度均匀性≤±0.6℃；
• 配置2块冷板，控温范围15℃ -30℃之间，最小调整温度0.1℃，波动范围≤±0.2℃；冷盘温度控制范围：15℃ - 30℃，最小调整温度0.1℃，温度均匀性≤±0.1℃。
  

厂务接口参数

电源供应：三相AC380V 50HZ

真空：φ8mm快插口（压力≤-75KPA，流量≥50L/M）

压缩空气：φ12mm快插口（压力≥0.6MPA，流量≥80L/M）

废气排：φ50mm排气管口（压力≤-350PA，流量≥1000L/M）

废液排：φ25.4mm排液管口（重力排）

外观要素

设备尺寸：1850mm（W）*2000mm（D）*2200mm（H）

设备重量：约1200KG